烧结温度对高频瓷陷阱分布的影响

　　烧结温度对高频瓷各类试品 TSC 特性和陷阱分布的影响如下：烧结温度对各类试品的TSC峰值以及陷阱电荷量也有显著的影响。除C类试品外，其它类试品呈现出随着烧结温度提高，TSC 峰值增大及陷阱电荷量增加这一趋势，对于配方 A、B、C 的试品，随着烧结温度的提高，它们仍然保持一个TSC峰。总体而言，它们的 TSC 主峰的位置朝高温区偏移，陷阱能级也有变深的趋势，对于配方D在三个烧结温度下的三类试品，它们TSC峰的数量出现了变化，计算结果表明，除了主峰陷阱外，还有浅陷阱能级出现。它们的主峰的位置几乎没有变化。

　　微观结构可以影响到陶瓷的陷阱分布。烧结过程是形成陶瓷材料微观结构极其重要的一个环节。它是陶瓷生坯在高温下的致密化过程和现象的总称。陶瓷生坯随 着温度的上升和时间的延长，粉体颗粒相互键连，晶粒长大，孔隙(气孔)和晶界逐渐减少，并且通过物质的传递，总体积收缩，密度增加，最后成为致密、坚硬的具有某种微观结构的多晶烧结体，这种现象称为烧结。在烧结过程中，主要发生晶粒尺寸及其形状的变化、气孔尺寸及其形状的变化，烧结完成后，在宏观上的变化是：体积收缩，致密度提高，强度增加。

　　在较高的温度下，高频瓷物质的传递过程也将加快，气孔的消失过程当然也会加快，不过发展便不一定平衡(并不是刚好等到气孔消失，晶界才移开，而往往是快速移动的 晶界没等气孔消失就已离开)，有可能将气孔包裹在晶粒之中。一般的，如果烧结 温度较低，则通常需要较长的保温时间;如果烧结温度较高，则保温时间就可以减 少。保温时间的过短或过长都会影响晶粒的正常生长。